纳米Bi2O3掺杂对ZnO压敏电阻片电学性能的影响

作者：夏昌其; 钟春燕; 李自立

来源：山东化工, 2019, 48(16): 140-141.

DOI：10.19319/j.cnki.issn.1008-021x.2019.16.056

• ZnO压敏电阻片
• 电位梯度
• 漏电流
• 非线性系数

为获得电学性能优异、生产成本低的ZnO压敏电阻片,本文采用传统陶瓷烧结技术制备ZnO压敏电阻片,研究不同含量纳米Bi2O3掺杂对ZnO压敏电阻片的电位梯度、漏电流、非线性系数等电性能的影响。采用压敏电阻直流参数仪对ZnO压敏电阻片的电学性能进行表征。实验结果表明,随着纳米Bi2O3含量的增加,ZnO压敏电阻片的电位梯度先升高后降低,漏电流变化不显著,非线性系数先增大后减小。当掺杂纳米Bi2O3摩尔分数为0.80%时,ZnO压敏电阻片的电学性能最佳。

• 单位
  贵州工业职业技术学院