基于异质结倍增层的InAlAsSb SACM雪崩光电二极管的优化

作者：蒋毅; 陈俊^*

来源：红外与毫米波学报, 2019, 38(05): 598-603.

• InAlAsSb
• 雪崩光电二极管
• 异质结倍增层
• 击穿电压
• 穿通电压

使用低工作电压的雪崩光电二极管(APD)有利于提高集成电路的稳定性和降低功耗.文章建立了一个分离吸收、电荷、倍增(SACM)型的雪崩光电二极管的模型,为了在低偏压下获得高增益同时不降低工作电压范围,这个模型采用了具有高低禁带宽度的异质结倍增层.同时,文章研究了异质结倍增层的厚度和掺杂浓度对暗电流和增益的影响.通过对掺杂浓度的优化,击穿电压和穿通电压可以同时下降.

• 单位
  苏州大学