磷锑共掺SnO_2陶瓷的电阻-温度特性

作者：欧阳攀; 张鸿; 李根; 李志成

来源：电子元件与材料, 2012, 31(06): 10-14.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2012.06.003

• SnO2
• 磷锑共掺
• NTC效应
• 导电机理

采用湿化学法制备了磷锑共掺氧化锡Sn1–3xSbxP2xO2+δ(x=0.004,0.010,0.030,0.050)材料。利用XRD、SEM、电阻–温度特性测试系统和交流阻抗技术对所制氧化锡材料的物相组成、微观结构及导电特性进行了研究。结果表明:在x=0.004和0.010时,所制氧化锡材料由纯四方结晶相组成,但在x≥0.030时,材料中出现了微量的P2O5和SnP2O7杂质相;所制氧化锡材料的电阻–温度特性具有负温度系数(NTC)效应,这主要是晶粒效应和晶界效应共同作用的结果;最后利用能带理论对该材料的NTC导电机理进行了分析讨论。

• 单位
  中南大学; 材料科学与工程学院; 粉末冶金国家重点实验室