应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响

作者：张倩; 郝敏如

来源：电子科技, 2019, 32(06): 22-30.

DOI：10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2019.06.005

• 应变Si
• NMOS器件
• 总剂量辐射
• 单粒子效应
• 漏极瞬态电流
• 漏极收集电荷

针对应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响机制,采用计算机TCAD仿真进行研究。通过对比实验结果,构建50 nm应变Si NMOS器件的TCAD仿真模型,并使用该模型研究处于截至态(Vds=1 V)的NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应。实验结果表明,总剂量辐照引入的氧化层陷阱正电荷使得体区电势升高,加剧了NMOS器件的单粒子效应。在2 kGy总剂量辐照下,漏极瞬态电流增加4.88%,而漏极收集电荷增量高达29.15%,表明总剂量辐射对单粒子效应的影响主要体现在漏极收集电荷的大幅增加方面。

• 单位
  西安电子科技大学