16 Gb/s GaN数模转换器芯片

作者：张有涛; 孔月婵; 张敏; 周建军; 张凯

来源：固体电子学研究与进展, 2017, (02): 149.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2017.02.016

<正>南京电子器件研究所基于76.2 mm（3英寸）0.1μm Ga N工艺,采用ft/fmax分别为100 GHz/165 GHz的耗尽型晶体管设计,首次研制出16 Gb/s的3 bit DAC芯片。该芯片内核面积约为1.20 mm×0.15 mm。图1为芯片照片,包括驱动及内核电路。图2为芯片400 Mb/s刷新率时输出三角波测试结果。图3为芯片最高16 Gb/s刷新率时输出测试结果。

• 单位
  南京国博电子有限公司