氧化物半导体薄膜晶体管的专利分析

作者：张雄娥

来源：集成电路应用, 2021, 38(08): 32-33.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2021.08.012

• 薄膜晶体管
• TFT
• 专利布局
• 技术创新

基于薄膜晶体管的专利研究已然成为全球研究热点,阐述薄膜晶体管的全球专利技术申请状况,涉及专利申请量布局、申请人统计分析,以及专利申请的地区分布。

• 单位
  国家知识产权局专利局专利审查协作广东中心