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摘要
本发明公开了一种欧姆接触性能优化的光子晶体LED芯片及其制备方法。光子晶体LED芯片包括发光单元呈圆台结构,圆台上分布有光子晶体；正电极分布在表面平坦化的圆台结构的电流扩展层上,电流扩展层包含欧姆接触层和电流横向扩散层双层结构；负电极分布在N型掺杂GaN材料上,负电极与N型掺杂GaN材料的分界面上分布有光子晶体。本发明在没有图案的平坦的外延片表面沉积透明电流扩展层,并退火形成欧姆接触；本发明有源区域的光子晶体提高了发光效率和调制带宽,负电极与N型掺杂GaN材料分界面上的接触面光子晶体以及双层结构的电流扩展层优化了欧姆接触性能。
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