一种提高SiC MOSFET在高开关速率下栅极电压稳定性的驱动电路

作者：邵天骢^*; 郑琼林; 李志君; 黄波; 刘建强

来源：电源学报, 2021, 19(04): 6-15.

DOI：10.13234/j.issn.2095-2805.2021.4.6

• 碳化硅
• MOSFET
• 高开关速率
• 栅极驱动
• 短路保护

高开关速率且栅极电压稳定的驱动是SiC MOSFET高频工作、进而实现功率变换系统小型化和轻量化的关键技术之一。针对如何在高开关速率下稳定驱动SiC MOSFET,并实现可靠的短路保护,根据栅源电压干扰的传导特点,基于辅助器件的跨导增益构建负反馈控制回路,提出一种SiC MOSFET栅极驱动,进而研究揭示该驱动的短路保护策略。首先,基于跨导增益负反馈构造栅极驱动电路并分析其工作原理;其次,研究该驱动的串扰抑制能力与短路保护特性;最后,通过实验证明基于跨导增益负反馈的栅极驱动电路的可行性,及其在串扰抑制和短路保护中的有效性。

• 单位
  北京交通大学