利用ICPCVD方法在GaN上沉积氧化硅薄膜的特性

作者：刘秀娟; 张燕; 李向阳

来源：红外与毫米波学报, 2015, 34(01): 23-28.

• ICP-CVD
• SiOx
• 薄膜应力
• 表面粗糙度
• 界面态密度

使用感应耦合等离子体化学气相沉积(Inductively coupled plasma chemical vapor deposition,ICPCVD)方法在GaN上沉积SiOx薄膜,生长参数中采用不同RF功率,研究RF功率对薄膜物理性能和电学性能的影响.结果发现,随着RF功率增大,薄膜应力增大,表面粗糙度减小,薄膜致密度增大.选择最优的RF功率参数,制作了SiOx/nGaN金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor,MIS)器件,结果得到薄膜漏电流密度在外加偏压为90V时小于1×10-7A/cm2,SiOx/n-GaN界面态密度为2.4×1010eV-1cm-2.表明利用ICPCVD低温沉积的SiOx-GaN界面态密度低,薄膜绝缘性能良好.

• 单位
  中国科学院上海技术物理研究所; 传感技术国家重点实验室; 中国科学院研究生院