InP量子点是一种典型的Ⅲ-V族半导体纳米材料,由于其在禁带宽度、电子迁移率等方面的独特性能而受到广泛关注.研究人员通过控制反应条件、表面修饰以及进行掺杂等对InP材料的性能进行调控,使之更广泛地应用于通信、材料、传感、能源及照明等领域.