24～30 GHz高精度低附加相移数控衰减器

作者：陈隆章; 袁波; 谢卓恒; 王强

来源：微电子学, 2019, 49(03): 356-365.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.180327

• 衰减器
• 高精度
• 低附加相移

基于0.18μm CMOS工艺,设计并实现了一种5位高精度低附加相移数控衰减器。该衰减器的衰减动态范围为15.5 dB,步进为0.5 dB。采用了T型衰减结构和SPDT型衰减结构的衰减网络。采用了悬浮栅和悬浮衬底,提高了衰减精度,减小了插入损耗。采用了相位补偿网络,有效降低了衰减器的附加相移。测试结果表明,在24～30 GHz频带范围内,衰减步进为0.5 dB,插入损耗小于8 dB,衰减误差均方根(RMS)小于0.45 dB,附加相移小于±5°。芯片尺寸为1.2 mm×0.3 mm。

• 单位
  中国电子科技集团公司第二十四研究所; 安徽大学; 电子信息工程学院