余弦忆导忆阻系统周期变化初值位移调控行为(英文)

作者:Mo CHEN; Xue REN; Hua-gan WU; Quan XU; Bo-cheng BAO
来源:Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering, 2019, 20(12): 1706-1717.

摘要

利用一种新型余弦忆导理想忆阻,构造一个四维忆阻系统。由于忆导函数特殊的非线性,忆阻系统具有沿忆阻内部状态变量坐标轴分布的线平衡点集(0,0,0,δ),且平衡点集稳定性随δ变化而周期性演化。数值仿真揭示了忆阻系统非线性、一维的初值位移调控行为,它不仅可由忆阻状态初值触发,也可由其他两个系统状态初值引发。特别地,在位移调控路线上,可以观测到多种具有不同位置和拓扑结构的共存吸引子。通过PSIM电路仿真对该特殊动力学特性进行了验证。