摘要
通过研究 (1_x)Pb(Mg1 3Nb2 3)O3_xPbTiO3(PMNT)单晶在不同方向、不同组分下高场致应变的特性 ,确定了〈0 0 1〉取向PMNT单晶 (2 9%≤x≤ 31% )为制作层叠式驱动器的最佳组分范围 ,这组分的单晶具有高场致应变、低滞后而且性能较稳定的特点 .研究结果表明 ,在保证应变曲线的线性和低滞后的前提下 ,将近 - 2kV cm的负电场能够运用于〈0 0 1〉方向的PMNT晶体上 .4 0层 (每片晶片尺寸为 7mm× 7mm× 0 7mm)PMNT层叠式驱动器在电场 - 1 5—10kV cm的驱动下 ,可以获得 38 1μm的纵向位移 ,负载 4 0...
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单位中国科学院上海硅酸盐研究所; 中国科学院光电技术研究所; 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室