Nb掺杂对ZrCoSb基Half-Heusler化合物热电性能的影响

作者：武桂英; 韦思敏; 覃乃领; 许征兵; 严嘉琳^*

来源：中国新技术新产品, 2022, (23): 76-79.

DOI：10.13612/j.cnki.cntp.2022.23.002

• Half-Heusler化合物
• ZrCoSb
• Nb掺杂
• 热电性能

该文采用电弧熔炼结合放电等离子烧结的方法制备了Nb掺杂的ZrCoSb基Half-Heusler化合物Zr1-xNbxCoSb(x=0～0.12)。X射线衍射分析表明，所有Nb掺杂样品均得到了单相，点阵参数随Nb的增加而逐渐降低。在323 K到973 K温度范围内研究了样品的热电性能，结果表明所有样品均为n型半导体，Nb的掺入使材料的功率因子提高，热导率降低，ZT随着Nb掺杂量的增加逐渐增大。样品Zr0.88Nb0.12CoSb在973 K取得ZT最大值0.53。

• 单位
  材料学院; 广西大学