基于多层膜巨磁电阻磁场传感器制作工艺与特性研究

作者：漆园园; 赵晓锋^*; 于志鹏; 邓祁; 温殿忠

来源：黑龙江大学自然科学学报, 2020, 37(04): 484-490.

DOI：10.13482/j.issn1001-7011.2020.07.008

• 多层膜巨磁电阻
• (Co/Cu/Co)n多层膜
• 磁场传感器
• 剥离工艺

给出了一种多层膜巨磁电阻(GMR)磁场传感器,利用剥离工艺将其制作在SiO2/Si衬底上,该传感器芯片主要由4个多层膜巨磁电阻连接形成惠斯通电桥,每个巨磁电阻由4部分组成,由下到上分别为衬底(SiO2/Si)、底电极(Al层)、(Co/Cu/Co)n多层膜和顶电极(Al层)。基于巨磁电阻效应,当外加磁场时,电阻条的阻值发生改变,惠斯通电桥输出电压随外加磁场发生改变。在室温条件下,当VDD=5.0 V时,采用磁场发生器系统对传感器磁敏特性进行了测试和分析,在-0.1～0.1 mT的磁场范围内,制备的(Co 3nm/Cu 1nm)20多层膜巨磁电阻磁场传感器的磁灵敏度为0.35 mV·mT-1,分辨率为0.01 mT。

• 单位
  黑龙江大学; 电子工程学院