一种应用于MOSFET电学仿真的PSP应力模型

作者：石艳玲; 孙立杰; 李曦; 周卉; 任铮; 胡少坚; 陈寿面

来源：2012-10-18, 中国, CN201210398631.4.

本发明公开了一种应用于MOSFET电学仿真的PSP应力模型,在标准的PSP模型基础上,引入了产生应力的版图参量作为实体参数,增加了版图参数和影响系数,版图参数为表示各版图参量有效值的拟合参数,影响系数为表示各版图参量对PSP模型基本参数中与尺寸无关的平带电压Vfb0和零电场下迁移率μ0影响程度的拟合参数；以及提供了根据版图参量确定晶体管饱和阈值电压Vtsat和饱和漏极电流Idsat的变化特性的方法。本发明在标准的PSP模型基础上考虑了版图参量对与尺寸无关的平带电压Vfb0和零电场下迁移率μ0的影响；并重新定义与尺寸无关的平带电压Vfb0和零电场下迁移率μ0。

• 单位
  上海集成电路研发中心有限公司; 华东师范大学