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摘要
相变存储器（PCRAM）由于高速、高密度、低功耗及可持续微缩等优点，成为新型半导体存储器的研究热点。本文采用磁控溅射的方法和标准半导体工艺制备了Ge2Sb2Te5（GST）基PCRAM器件，通过不同电压脉冲宽度的电阻-电压（R-V）测试发现该器件具有多值存储特性。采用透射电子显微镜（TEM）分析了不同阻值状态的微观结构，发现伴随着PCRAM器件电阻值的降低，GST材料层由底电极处开始晶化，并最终延伸至上电极，完成非晶态（a-phase）向晶态的结构转变。结果表明，PCRAM器件的多阻态来源于晶态（非晶态）区域的体积占比不同。
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单位中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 信息功能材料国家重点实验室; 华东师范大学
