MAPbI3单晶光电探测器的制备及应用

作者：余龙; 张智方; 朱燕艳; 曹海静^*

来源：微纳电子技术, 2020, 57(05): 349-371.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2020.05.002

• MAPbI3单晶
• 逆温法
• 蒸镀电极
• 辐射探测
• 钙钛矿材料

采用逆温法生长得到了MAPbI3单晶,经过粗磨抛光处理后,作为靶材在其表面蒸镀了Au电极,制备了Au/MAPbI3/Au光电探测器,并对其光电性能进行了详细研究。在不同光照条件下的I-V性能测试结果表明,相同的偏压下MAPbI3单晶光电探测器均具有较好的光敏感性和探测性能。通过α能谱和飞行时间(TOF)技术研究并讨论了该探测器对α粒子的探测性能,并最终得到探测器中电子和空穴的电子迁移率和寿命乘积分别为5.6×10-4和3.3×10-4 cm2/V,电子和空穴的迁移率分别为24.6和59.7 cm2/(V·s)。实验结果表明,该探测器的探测能力与室温核辐射探测材料CdZnTe的相当,证实了逆温法生长的MAPbI3单晶具有优异的电荷传输性能,在室温辐射检测领域有巨大的潜力。

• 单位
  上海电力大学; 数理学院