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摘要
本发明提供了一种基于AlBN铁电材料的深紫外探测器及制备方法,主要解决现有探测器材料带隙不够宽、暗电流较大导致器件性能不佳的问题。结构从下至上包括Al-2O-3衬底以及依次生长沉积的W底电极、AlBN光吸收层、SiO-2介电层和HfO-2紫外阻挡层,在光吸收层上的Ni顶电极,且Ni顶电极与SiO-2介电层和HfO-2紫外阻挡层之间被Ti/Au接触垫隔开；AlBN光吸收层和顶电极与底电极形成欧姆接触。本发明利用AlBN材料的宽带隙、强极化特性以及铁电特性的优势,通过调控铁电极化方向和外加偏压实现对探测器性能的调节；在深紫外光照下能够有效地分离和传输光生电子和空穴,且制备方法简单可行,具备广阔的应用前景。
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