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摘要
为了优化AlGaN/GaN异质结场效应晶体管的性能，实现对异质结界面附近电荷密度和内建电场强度的调控，采用第一性原理计算方法，通过改变AlGaN势垒层的Al组分，或掺入少量用于p型掺杂的Mg原子进行模拟计算。结果表明，在一定范围内增大Al的组分能够有效提高AlGaN/GaN异质结界面附近的载流子浓度；异质结界面处的内建电场强度随着Al组分的增大而单调增大，当x=0.50、0.75时，计算所得内建电场强度分别约为x=0.25时的2倍、3倍；在使用少量Mg原子进行p型掺杂时，内建电场强度和电荷密度都显著减小。通过改变Al组分和掺入Mg原子来调控异质结界面附近电荷密度与内建电场强度是可行和有效的。
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