改善炉管晶舟立柱对多晶硅沉积的影响

作者：张凌越; 姜波; 陈广伦; 张俊利

来源：集成电路应用, 2020, 37(07): 28-31.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2020.07.009

• 集成电路制造
• 晶舟立柱
• 多晶硅
• 清洗
• APM
• LPCVD

使用炉管进行多晶硅低压化学气相沉积(LPCVD)的工艺被广泛用于VLSI制造。多晶硅薄膜LPCVD炉管工艺存在硅片表面邻近晶舟立柱(Boat rod)区域多晶硅薄膜膜厚薄于硅片表面其他部分的问题。通过LPCVD炉管的多晶硅沉积分批实验,发现硅片沉积前进行APM(NH4OH:H2O2:DIW)清洗可消除垂直炉管晶舟立柱对多晶硅的沉积的影响。