基于分子动力学模拟的TiAl涂层的阻尼性能研究

作者：王贺权; 张馨予

来源：热加工工艺, 2020, 49(08): 95-98.

DOI：10.14158/j.cnki.1001-3814.20181878

• TiAl合金
• 分子动力学
• 位错缺陷
• 阻尼性能

利用Materials Studio软件建立了具有位错缺陷的单晶TiAl涂层模型。采用LAMMPS分子动力学软件在700、800、900 K下对含有位错缺陷的单晶TiAl涂层进行模拟,得到各温度下模型的应力-应变曲线及模型的微观结构变化。通过模型的应力-应变曲线分析了各温度下模型的阻尼性能。由微观结构变化,进一步探讨了温度对含有位错缺陷涂层阻尼性能的影响。结果表明,800 K下TiAl涂层的阻尼性能最好。

• 单位
  机电工程学院; 沈阳航空航天大学