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摘要
本发明属于太阳能电池器件领域,公开了一种InAs量子点的远程外延结构及制备与应用。所述远程外延结构包括依次层叠的GaAs衬底、单层石墨烯层和InAs量子点阵列。其制备方法为：将单层石墨烯转移到GaAs衬底上,然后放入分子束外延系统中,在单层石墨烯层上生长InAs量子点阵列,得到InAs量子点的远程外延结构。本发明通过在砷化镓衬底与砷化铟外延层之间引入单层石墨烯结构,有效阻断了界面的铟原子与镓原子的互扩散,并为量子点的生长提供了平面有序的成核位点,显著提高砷化铟量子点的晶体质量,为砷化铟中间带量子点电池性能的提升提供有效的材料基础。
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