一种碳化硅MOSFET及其制造方法

作者：宋庆文; 张玉明; 贾一凡; 肖莉; 王茳; 王志坚

来源：2016-09-27, 中国, CN201610854119.4.

本发明提供一种碳化硅MOSFET及其制造方法,用以解决现有技术中碳化硅MOSFET界面密度较高的问题,该碳化硅MOSFET包括：碱土金属氧化物形成的界面层,该界面层纵向设置于MOSFET的二氧化硅栅介质层与JFET区域之间,横向设置于MOSFET的两个N+源区接触之间,该碳化硅MOSFET缓解了传统碳化硅MOSFET器件中碳化硅与二氧化硅之间的晶格失配,从而缓和界面应力,减少悬挂键,改善了界面特性,提高了器件性能。