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摘要
本发明提供一种碳化硅MOSFET及其制造方法,用以解决现有技术中碳化硅MOSFET界面密度较高的问题,该碳化硅MOSFET包括：碱土金属氧化物形成的界面层,该界面层纵向设置于MOSFET的二氧化硅栅介质层与JFET区域之间,横向设置于MOSFET的两个N+源区接触之间,该碳化硅MOSFET缓解了传统碳化硅MOSFET器件中碳化硅与二氧化硅之间的晶格失配,从而缓和界面应力,减少悬挂键,改善了界面特性,提高了器件性能。
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本发明提供一种碳化硅MOSFET及其制造方法,用以解决现有技术中碳化硅MOSFET界面密度较高的问题,该碳化硅MOSFET包括：碱土金属氧化物形成的界面层,该界面层纵向设置于MOSFET的二氧化硅栅介质层与JFET区域之间,横向设置于MOSFET的两个N+源区接触之间,该碳化硅MOSFET缓解了传统碳化硅MOSFET器件中碳化硅与二氧化硅之间的晶格失配,从而缓和界面应力,减少悬挂键,改善了界面特性,提高了器件性能。
