摘要

合成了新配合物[N(CH3)4]2[Eu2(btb)4](H2btb=4,4′-双(4,″4,″4,″-三氟代-1,″3″-二氧代丁基)联苯)。通过元素分析、红外光谱、紫外光谱对配合物的结构予以表征。在近紫外激发下,该配合物发射出强的铕离子特征红光。监控614 nm的发射光,其激发光谱在391nm处具有很强的激发强度,能够被InGaN芯片发射光有效激发而发红光。将该配合物与395 nm发射的InGaN芯片组合制成了红色发光二极管,当配合物和硅树脂的质量比为1∶30时,红色发光二极管的色坐标为x=0.6214,y=0.3159,器件的发光效率为0.59 lm.W-1。结果表明,配合物[N(CH3...