SiC和GaN系统设计工程师不再迷茫

作者：Andrea Vinci; Tom Neville

来源：中国电子商情(基础电子), 2019, (03): 37-39.

DOI：10.19584/j.cnki.11-3648/f.2019.03.010

<正>SiC和GaNMOSFET技术的出现,正推动着功率电子行业发生颠覆式变革。这些新材料把整个电源转换系统的效率提高了多个百分点,而这在几年前是不可想象的。在现实世界中,没有理想的开关特性。但基于新材料、拥有超低开关损耗的多种宽禁带器件正在出现,既能实现低开关损耗,又能处