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摘要
本发明公开了一种无漏电MESA切割道3D通孔超结构LED芯片及其制备方法,包括在外延衬底上制备n型掺杂GaN层,InGaN/GaN多量子阱层,p型掺杂GaN层,再在LED外延片表面制备纳米Ag基反射镜,反射镜保护层、MESA开孔、绝缘层；再填充孔内的N金属电极及键合层金属；然后将LED外延层转移至Si衬底上；接着采用干湿法相结合的方法制备MESA切割道；再制备钝化层PA、P电极图案、P电极金属,形成LED芯片。本发明通过优化干、湿法刻蚀MESA切割道的厚度比值,获得切割道边缘整齐,无腐蚀液内渗,无白边,无金属侧壁攀爬及反溅且工艺稳定易控制的GaN MESA切割道,也解决了LED芯片漏电问题。
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