摘要
锐钛矿TiO2为一种常见的n型半导体材料,在光催化、电池光阳极电极、生物材料等领域具有应用前景。离子镀方法具有沉积速率快、膜-基结合力好、薄膜结构致密等优点,被广泛应用于各类涂层制备中。在制备过程中,不同Ar/O2比与烧结温度对涂层相结构与结晶程度有很大的影响,利用多弧离子镀膜机进行不同Ar/O2比与烧结温度正交实验。结合X射线衍射(XRD)图谱可知,Ar/O2比可以直接决定涂层的相结构,而烧结温度能决定涂层结晶程度。对Ar/O2比为1∶2,烧结温度为550℃的薄膜进行扫描电镜表征可知涂层为典型的柱状生长模式,表面存在未被氧化的Ti颗粒。
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单位中国核动力研究设计院; 四川大学; 辐射物理及技术教育部重点实验室