典型的带隙基准电压源电路是由CMOS工艺产生的具有负温度系数的寄生横向BJT的发射结电压V_(EB)和具有正温度系数的热电压V_t相补偿产生零温度系数的基准带隙电压源.但是V_(EB)与温度不是线性关系,因此V_(REF)需要被校正.本文介绍了一种高精度自偏置多段二次曲率补偿的CMOS带隙基准电压源.采用0.5μm CMOS工艺、工作电压为3.3 V,该芯片室温下功耗为94μW.设计在0℃~75℃有效温度系数达到了0.7 ppm/℃.