BaAl2-2xMg2xSi2O8陶瓷制备与微波介电性能研究

作者：李超; 丁士华^*; 朱惠; 张云; 孙明鑫; 游璐

来源：中国陶瓷, 2020, 56(12): 10-28.

DOI：10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2020.12.002

• BaAl2Si2O8
• 晶体结构
• 氧空位
• 单斜相
• 介电性能

通过固相烧结法制备了BaAl2-2xMg2xSi2O8(x=0,0.005,0.01,0.02,0.03)陶瓷,研究了不同Mg2+取代量对BaAl2Si2O8(BAS)系陶瓷晶体结构和介电性能的影响。利用基于第一性原理的CASTEP计算了Mg掺杂BAS不同位置的形成能能和总能量。结果表明Mg应当进入Al位,Mg2+取代Al3+生成的氧空位可以促进BAS转变为单斜相,从而改善样品的密度、品质因素(Q×f)及谐振频率温度系数(τf)。x=0.005时,样品经1500℃烧结后表现出最佳的介电性能:εr=6.74,Q×f=36125 GHz,τf=-26.97×10-6/℃。

• 单位
  西华大学