Al_2O_3陶瓷基片上Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3薄膜可调介电性能的研究

作者：王元; 蒋书文; 陈湘亮

来源：功能材料, 2011, S2: 223-225+229.

• BST薄膜
• Al2O3陶瓷基片
• 磁控溅射
• 可变电容 BST thin film
• Al2O3 alumina ceramic substrate
• RF magnetron sputtering
• tunable capacitor

采用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷基片上溅射生长Ba0.7Sr0.3TiO3(BST)薄膜,使用光刻工艺制作平板结构的BST薄膜可变电容。研究了溅射条件对BST薄膜可调介电性能和介电损耗的影响。结果表明,在溅射气压为4Pa、O2∶Ar比为30∶70、基片温度800℃下制备的BST薄膜具有较高的介电调谐率(约52%)和较低的损耗(约0.8%),BST薄膜可变电容的品质因素随频率升高而降低,在1~100MHz频率范围内品质因素从125下降为42。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学