放电等离子烧结工艺制备致密碳化硅陶瓷

作者：张勇; 何新波; 曲选辉; 孔祥磊; 段柏华

来源：机械工程材料, 2008, 32(03): 45-47+51.

DOI：10.3969/j.issn.1000-3738.2008.03.014

• 碳化硅陶瓷
• 放电等离子烧结
• 致密度

以SiC微粉为原料,并添加质量分数为10%的Al2O3和Y2O3为烧结助剂,采用放电等离子烧结(SPS)技术快速制备了SiC陶瓷,对烧结致密化过程、SPS烧结温度、烧结压力及烧结时间对致密化的影响进行了研究,并通过XRD和SEM等检测手段对SPS烧结得到烧结体的显微组织和物相组成进行了分析。结果表明:SiC的SPS烧结过程可分为放气膨胀区、气体溢出收缩区、烧结收缩区、烧结完成区四阶段,最佳的烧结参数为1600℃,50 MPa,5 min,所得的烧结体致密度达99.09%。

• 单位
  北京科技大学