高压IGBT芯片表面钝化工艺的研究与改进

作者：李立; 董少华; 冷国庆; 王耀华; 金锐

来源：电子工艺技术, 2018, 39(02): 66-70.

DOI：10.14176/j.issn.1001-3474.2018.02.002

• 高压IGBT
• 钝化方案
• 钝化工艺
• 聚酰亚胺
• 可靠性

高压功率半导体器件IGBT(绝缘栅双极晶体管)的表面钝化工艺是其芯片加工工艺的重要环节,其钝化层的质量直接影响IGBT器件的性能参数和长期可靠性。简要介绍了研究背景和功率半导体器件的钝化机理,确定了适用于高压IGBT的表面钝化方案,通过聚酰亚胺钝化层工艺开发最终实现了设计目标,生产出的IGBT器件通过了1 000 h的HTRB和H3TRB可靠性考核。

• 单位
  全球能源互联网研究院