LDD注入工艺对40nm中压NMOS器件HCI-GIDL效应的优化

作者：闫翼辰; 蔡小五; 魏兰英; 蔡巧明; 曹杨; 杜林

来源：微电子学, 2020, 50(05): 738-742.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.190594

• HCI-GIDL效应
• NMOS器件
• LDD注入

基于40 nm CMOS工艺,研究了8 V MV NMOS器件的HCI-GIDL效应的优化。分析了增大LDD注入倾角、二次LDD注入由P注入变为As注入两种措施对电学特性的影响。测试结果表明,两种措施均对器件的衬底电流、关态泄漏电流产生较好效果。利用TCAD工具,模拟了LDD注入工艺的优化对掺杂形貌、电场分布和碰撞电离强度的影响。分析了HCI-GIDL效应得以优化的物理机制。

• 单位
  中芯国际集成电路制造有限公司; 安徽继远检验检测技术有限公司; 中国科学院大学