55nm双大马士革结构中电镀铜添加剂的研究

作者：曾绍海^*; 林宏; 陈张发; 李铭

来源：复旦学报(自然科学版), 2018, 57(04): 504-516.

DOI：10.15943/j.cnki.fdxb-jns.2018.04.012

• 电镀液
• 添加剂
• 双大马士革
• 55nm技术代
• 铜互连

本文研究了电镀铜过程中添加剂对55nm技术代双大马士革结构的影响,为集成电路制造生产线提供有力的数据支持.在12英寸电镀设备上,对不同添加剂配比所电镀的铜膜,分别进行了光片上的基本工艺性能、图形片上的填充性能、55nm技术代的铜互连工艺上的电学性能和可靠性的验证评估.通过对各种性能指标的考核,提出了针对该电镀液及添加剂的改进方案并优化电镀工艺菜单.最终确立其适用于芯片铜互连电镀工艺的工程应用窗口,使该产品满足集成电路制造生产线的要求.

• 单位
  上海集成电路研发中心有限公司