退火时间对ITO薄膜应变计性能的影响

作者：杨涛; 孙道恒^*; 陈国淳; 武超; 海振银; 陈沁楠; 李鑫; 何功汉

来源：微纳电子技术, 2022, 59(05): 465-472.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2022.05.012

• 氧化铟锡(ITO)
• 薄膜应变计
• 应变系数
• 电阻率
• 磁控溅射

薄膜应变计可以实现在高温、高压、高线速等复杂工况下对航空发动机压气机叶片应变信息的实时检测，对发动机的优化设计具有重要意义。基于磁控溅射工艺在氧化铝基底表面沉积氧化铟锡(ITO)薄膜，之后制作了ITO薄膜应变计，研究了退火时间对ITO薄膜应变计性能的影响。结果表明，ITO薄膜的结晶度随退火时间的延长先增加后降低，导致其电导率先增强后减弱。ITO薄膜应变计在退火5、10、15和20 h时对应的应变系数分别为-2.36、-3.94、-3.56和-3.26,在退火25 h时应变响应较差，未获得其应变系数；在退火20 h时其电阻稳定性最好，电阻漂移率最小，应变循环响应一致性最好，故退火20 h为ITO薄膜应变计的最优退火参数。该结果对高温薄膜应变计的优化设计具有一定的指导意义。

• 单位
  航天学院; 厦门大学