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摘要
水平谐振腔面发射分布反馈（Surface emitting distributed feedback,SE-DFB）半导体激光器因具有更好的光束质量获得了广泛关注。本文设计了波长为940 nm的水平谐振腔面发射分布反馈半导体激光器,分析了光栅的结构参数（形状、周期、占空比、刻蚀深度等）对激光器发光特性（线宽、边模抑制比、功率及斜率效率等）的影响。结合二阶光栅、脊形波导、电极及出光口、解理封装等器件工艺,制备出发光波长为940.3 nm的水平谐振腔面发射半导体激光器,线宽为0.52 nm,连续工作模式下发射功率为890 mW。
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单位长春理工大学; 高功率半导体激光国家重点实验室
