硼掺杂金刚石薄膜电极上水杨酸的电化学行为

作者：吕江维; 曲有鹏; 田家宇; 高珊珊; 刘峻峰

来源：应用化工, 2016, 45(11): 2034-2038.

DOI：10.16581/j.cnki.issn1671-3206.2016.11.044

• 硼掺杂金刚石
• 循环伏安
• 电化学阻抗谱
• 水杨酸
• 电化学行为

硼掺杂金刚石(BDD)薄膜电极是用于电化学分析中的理想电极材料。以水杨酸(SA)为目标物,利用循环伏安法(CV)和电化学阻抗谱(EIS)对BDD电极上SA的电化学行为进行了研究。结果发现,SA的电化学过程有两个氧化峰,没有还原峰,氧化还原反应为不可逆反应。在低电势下出现的氧化峰电流正比于扫描速率的平方根,具有良好的线性关系,表明不可逆的氧化反应过程中扩散步骤为反应的控制步骤。电极/溶液界面的结构可以用R(QR)的等效电路拟合,当电极电位从开路电位(OCP)提高到2.5 V时,电荷转移电阻Rct从5.137×105Ω·cm2降低到4.171×102Ω·cm2,说明电极电位的增加能够加快氧化反应的进行,可以提高电催化反应速率大小。

• 单位
  城市水资源与水环境国家重点实验室; 哈尔滨工业大学; 哈尔滨商业大学