Ho掺杂对Ba(Zr0.1Ti0.9)O3基陶瓷介电性能的影响

作者：马蓉; 崔斌; 胡登卫; 王艳

来源：宝鸡文理学院学报(自然科学版), 2021, 41(03): 46-50.

DOI：10.13467/j.cnki.jbuns.2021.03.009

• Ho掺杂
• Sol-gel一步法
• Y5V
• 介电性能

目的通过Ho掺杂提高Ba(Zr0.1Ti0.9)O3(BZT)基Y5V型陶瓷的介电性能。方法采用Sol-gel一步法研究Ho掺杂对BZT基Y5V型纳米粉体及陶瓷微观形貌及介电性能的影响规律。结果当Ho含量为0.10 mol%时,陶瓷最大介电常数为19 943,容温变化率(TCC)符合Y5V标准。结论随Ho含量的增加,BZT陶瓷的居里温度向低温方向移动,居里峰展宽,最大介电常数先增大后减小。因此,通过匹配的元素对材料进行掺杂改性,同时辅以优化的制备工艺可以实现陶瓷介电性能的有效提升。

• 单位
  宝鸡文理学院; 化学化工学院