逆导型IGBT发展综述

作者：刘志红; 汤艺; 盛况

来源：中国电机工程学报, 2019, 39(02): 550-652.

DOI：10.13334/j.0258-8013.pcsee.181794

• 逆导型IGBT
• RC-IGBT
• 回跳
• 反向恢复
• 载流子分布

该文概述垂直型RC-IGBT自发明以来的主要发展和当前的主要研究问题,包括:IGBT正向输出特性的Snap-back抑制、RC-IGBT关断及二极管反向恢复动态波形优化、器件纵向漂移区载流子浓度分布优化、器件横向载流子密度及电场分布均匀性优化、器件工作时的温度特性、工艺问题及器件仿真问题等。文中同时简要介绍ABB、英飞凌、三菱及富士推出的最新一代逆导型IGBT器件的器件特性及结构特征。

• 单位
  浙江大学; 嘉兴斯达半导体股份有限公司