APCVD制备二氧化硅薄膜工艺研究

作者：高丹; 康洪亮; 徐强; 佟丽英

来源：电子工艺技术, 2019, 40(06): 345-355.

DOI：10.14176/j.issn.1001-3474.2019.06.010

• 背封
• APCVD
• SiO2膜

背封技术可以有效防止硅外延过程中造成的自掺杂现象。讨论了APCVD制备二氧化硅膜工艺中膜厚、淀积温度和O2与SiH4比例等关系,分析了膜厚均匀性的影响因素和膜表面质量,提出了SiO2膜淀积的工艺条件及背封前清洗方法。

• 单位
  中国电子科技集团公司第四十六研究所