基于GaN的高效率功率放大器设计

作者：林建伟; 黄继伟^*

来源：电子元件与材料, 2021, 40(01): 47-53.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1536

• 高效率
• GaN
• Doherty
• 功率放大器
• 5G

基于Cree公司GaN HEMT设计了一款适用于3.45 GHz 5G通信的Doherty功率放大器,其中,载波放大器工作于深AB类,峰值放大器偏置于C类。后仿真表明该放大器小信号增益为13 dB,饱和输出功率大于44.85 dBm(30 W),在饱和点的功率附加效率(PAE)为73.5%。在6 dB回退点效率高达65.2%,与传统AB类放大器相比,效率提升了18%。利用峰均功率比为10 dB、5 MHz的单载波的FDD信号在3.45 GHz频点进行线性仿真,测得在34 dBm的平均输出功率下,邻道泄漏比(ACLR)和误差向量幅度分别为-32.1 dBc和7.768%。