热释发光-正电子湮灭法研究SrAl_2O_4基磷光体长余辉发光机制

作者：林元华; 南策文; 张中太; 王雨田

来源：无机材料学报, 2004, (01): 201-206.

• 热释发光
• 正电子湮灭
• 长余辉
• 陷阱能级 thermoluminescence
• positron annihilation
• long afterglow
• trap level

利用传统陶瓷制备方法合成了长余辉SrAl2O4:Eu,Dy发光粉材料,并利用热释发光-正电子湮灭法对该材料的发光性能及机理进行了研究.研究结果表明,掺杂的Eu在基质材料中主要充当发光中心,而Dy离子主要充当陷阱能级.正电子湮灭试验结果表明,Sr0.94Al2O4:Eu0.02和Sr0.94Al2O4:Eu0.02,Dy0.04存在带负电中心的缺陷,共掺杂的Dy3+进到Sr2+位,同时产生一定量的Sr空位.热释发光谱结果表明,单掺杂Eu离子的磷光体中缺陷陷阱深度较深,约为0.95eV.随着Dy的共掺杂,热释发光强度相应增加,陷阱深度降为0.51eV.对于长余辉发光机制,认为陷阱能级捕获的空穴与介...

• 单位
  新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室; 清华大学; 中国科学院高能物理研究所