本实用新型公开了生长在Al衬底上的InGaN纳米柱,包括生长在Al衬底上的AlN缓冲层,生长在AlN缓冲层上的InGaN纳米柱。其中采用的Al衬底热导率高,成本低,有利于解决器件散热的问题,降低器件成本；其次,本实用新型采用的Al衬底导电性能好,可以直接作为器件的电极,简化了器件的制备工艺；本实用新型的InGaN纳米柱具有晶体质量好、缺陷密度低和应力弛豫等特点,可用于制备发光二极管、光电探测器和太阳能电池等。
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