3D结构低相位噪声移频锁相源设计

作者:张献武; 吴佳佳
来源:电子元器件与信息技术, 2021, 5(09): 63-65.
DOI:10.19772/j.cnki.2096-4455.2021.9.029

摘要

采用BGA植球工艺来实现上下基板互联,从而实现三维电路结构。基板采用多层类陶瓷基板,更容易实现多种器件布局以及复杂布线,构建SIP(系统集封装)。这种电路结构与相同功能的传统盒体体积相比体积缩减到7.5%以内,体积大小为20×15×4.8 mm。运用梳谱,CRO及移频锁相技术实现低相位噪声,实际相位噪声测试结果与同频PCRO相同,达到–130.8dBc/Hz@1KHz,–135.5dBc/Hz@10KHz,该电路结构可以广泛用于频率源或其它微波系统小型化设计。

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