意法半导体携手台积电提高氮化镓产品市场采用率

来源：单片机与嵌入式系统应用, 2020, 20(04): 35.

<正>意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)与世界上最大的专业半导体代工企业台积电携手合作,加快氮化镓(GaN)工艺技术的开发以及GaN分立和集成器件的供货。通过此次合作,意法半导体创新的战略性氮化镓产品将采用台积电领先业界的GaN制造工艺。氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体材料,与传统的硅功率半导体相比,优势十分明显,例如,在大功率工作时能效更高,使寄生功率损耗大幅降低。氮化镓技术还可以设计更紧凑的器件,让目标应用具有更好的外形尺寸。此外,氮化镓器件的开关速度是硅器件的10倍,同时工作峰值温度更高,这些稳健强大的材料特性使氮化镓非常适合不断发展的100V和650V区间的汽车、工业、电信和特定消费类等各种应用领域。