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摘要
本发明提供一种HEMT增强型器件及其制作方法,所述器件包括依次设置的衬底层、缓冲层、势垒层、P-GaN帽层、钝化层、栅电极、源电极和漏电极；所述源电极和漏电极分别设置于所述势垒层上的有源区内；所述源电极和漏电极之间的缓冲层和势垒层形成纳米沟道；所述P-GaN帽层位于源电极和漏电极之间,覆盖所述纳米沟道垂直于所述衬底层的两个侧面以及与所述衬底层平行的面；所述栅电极覆盖所述P-GaN帽层垂直于所述衬底层的两个侧面以及所述P-GaN帽层与所述衬底层平行的面；所述钝化层覆盖所述源电极和栅电极之间、以及栅电极和漏电极之间的区域。
- 单位
