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摘要
本发明公开了一种16nm FinFET工艺SRAM型FPGA单粒子效应试验方法,涉及芯片单粒子效应试验技术领域,解决高端制程单粒子效应测试的技术问题,方法包括：S1.使用Verilog HDL硬件描述语言编写SRAM型FPGA中指定模块的电路配置文件；S2.设定电流阈值并配置到SRAM型FPGA的开发板的电源控制模块；S3.辐照源以初始辐照量辐照SRAM型FPGA；S4.使用Maxim DigitalPower电流检测软件实时读取SRAM型FPGA的电流值,若电流值超过电流阈值,则进行失效机理分析,试验结束；S5.使用Beyond Compare软件读取SRAM型FPGA的rbd配置信息文件,若读取正常,则通过比较辐照前后读取的rbd配置信息文件的配置信息；否则,记录指定模块发生单粒子功能中断；S6.加大辐照源的辐照量,执行步骤S4。
- 单位
