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摘要
GaN基HEMTs器件由于其优越的性能,在高频高温大功率微波器件中有着十分广阔的运用前景。然而GaN HEMTs器件存在高的栅泄漏和电流崩塌问题,MOS-HEMTs能够有效地减小栅漏电,但同时也引入界面问题和栅控能力减弱。本文通过引入凹槽栅结构来解决这问题,并在此基础上对GaN凹槽栅MOS-HEMTs器件进行了优化,改善了栅泄漏特性、MOS界面特性和电流崩塌特性,取得了理想的结果。 本文首先利用Silvaco软件仿真凹槽栅结构的深度对常规HEMTs器件和MOS-HEMTs器件特性的影响。随着凹槽栅深度的增加,我们发现栅靠漏端边缘电场的强度有所增加,器件的阈值电压正漂。 着重介绍...
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