5 V双向TVS器件表面缺陷改善

作者：陈正才

来源：电子与封装, 2021, 21(09): 85-88.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0916

• 杂质扩散
• 漏电
• 退火

通过对5 V双向TVS产品结构和工艺的研究,分析了高温退火工艺条件下衬底外延离子扩散对晶圆边缘处器件漏电和良率的影响。通过优化退火工艺,改善了器件表面缺陷,解决了晶圆边缘处器件漏电过高的问题,将片内良率从93%提升至99%以上。

• 单位
  无锡华普微电子有限公司